Vážení zákazníci, v letošním roce budeme expedovat poslední objednávky ve středu 18. 12. 2024.

Těšíme se s vámi na shledanou od pondělí 06. 01. 2025.

 

Cena s DPH / bez DPH
Hlavní stránka>BS EN 62047-16:2015 Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices Test methods for determining residual stresses of MEMS films. Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Sponsored link
sklademVydáno: 2015-07-31
BS EN 62047-16:2015 Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices Test methods for determining residual stresses of MEMS films. Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

BS EN 62047-16:2015

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices Test methods for determining residual stresses of MEMS films. Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky Zabezpečené PDF
K okamžitému stažení
4898 Kč
Čtěte normu po dobu 1 hodiny. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy
na 1 hodinu
489.80 Kč
Čtěte normu po dobu 24 hodin. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy
na 24 hodin
1469.40 Kč
Anglicky Tisk
Skladem
4898 Kč
Označení normy:BS EN 62047-16:2015
Počet stran:18
Vydáno:2015-07-31
ISBN:978 0 580 78080 6
Status:Standard
Popis

BS EN 62047-16:2015


This standard BS EN 62047-16:2015 Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices is classified in these ICS categories:
  • 31.080.99 Other semiconductor devices

This part of IEC 62047 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 μm to 10 μm in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. The films should be deposited onto a substrate of known mechanical properties of Young’s modulus and Poisson’s ratio. These methods are used to determine the residual stresses within thin films deposited on substrate [1]1.