Vážení zákazníci, v letošním roce budeme expedovat poslední objednávky ve středu 18. 12. 2024.
Těšíme se s vámi na shledanou od pondělí 06. 01. 2025.
Cena s DPH / bez DPH
ne, bez
Česká Republika Slovensko Germany Austria Belgium Bulgaria Croatia Cyprus Denmark Estonia Finland France Greece Hungary Ireland Italy Latvia Lithuania Luxembourg Malta Netherlands Poland Portugal Romania Slovenia Spain Sweden
Hlavní stránka >
BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) skladem Vydáno: 2019-11-22
BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Anglicky Zabezpečené PDF
K okamžitému stažení
10230 Kč
Čtěte normu po dobu 1 hodiny. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy na 1 hodinu
1023.00 Kč
Čtěte normu po dobu 24 hodin. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy na 24 hodin
3069.00 Kč
Anglicky Tisk
Skladem
10230 Kč
Označení normy: BS IEC 60747-9:2019 Počet stran: 82 Vydáno: 2019-11-22 ISBN: 978 0 580 94714 8 Status: Standard
Popis
BS IEC 60747-9:2019 This standard BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices is classified in these ICS categories:
31.080.01 Semiconductor devices in general 31.080.30 Transistors This part of IEC 60747 specifies product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics, verification of ratings and methods of measurement for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
Technické normy a partneři potřebují Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na políčko "Ano, souhlasím".
Zamítnout vše Ano, souhlasím Podrobné nastavení s vysvětlením zde
Soukromí