Vážení zákazníci, v letošním roce budeme expedovat poslední objednávky ve středu 18. 12. 2024.

Těšíme se s vámi na shledanou od pondělí 06. 01. 2025.

 

Cena s DPH / bez DPH
Hlavní stránka>BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Sponsored link
sklademVydáno: 2019-11-22
BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

BS IEC 60747-9:2019

Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky Zabezpečené PDF
K okamžitému stažení
10230 Kč
Čtěte normu po dobu 1 hodiny. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy
na 1 hodinu
1023.00 Kč
Čtěte normu po dobu 24 hodin. Více informací v kategorii E-READING
Čtení normy
na 24 hodin
3069.00 Kč
Anglicky Tisk
Skladem
10230 Kč
Označení normy:BS IEC 60747-9:2019
Počet stran:82
Vydáno:2019-11-22
ISBN:978 0 580 94714 8
Status:Standard
Popis

BS IEC 60747-9:2019


This standard BS IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices is classified in these ICS categories:
  • 31.080.01 Semiconductor devices in general
  • 31.080.30 Transistors

This part of IEC 60747 specifies product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics, verification of ratings and methods of measurement for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).