Přihlásit seRegistrovat se
Jazyk czen
Menu
KontaktOBCHODNÁPOVĚDAE-ReadingNovinky
Hledání
0
Celková cena
0 Kč
Cena s DPH / bez DPH
Hlavní stránka>IEC 62047-16:2015 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Sponsored link
sklademVydáno: 2015-03-05
IEC 62047-16:2015 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

IEC 62047-16:2015

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 16: Méthodes d'essai pour déterminer les contraintes résiduelles des films de MEMS - Méthodes de la courbure de la plaquette et de déviation de poutre en porte-à-faux

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky/Francouzsky Tisk
skladem
1196 Kč
Anglicky/Francouzsky PDF
K okamžitému stažení
1196 Kč
Označení normy:IEC 62047-16:2015
Vydáno:2015-03-05
Jazyk:Anglicky/Francouzsky
Popis

IEC 62047-16:2015

IEC 62047-16:2015 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 μ to 10 μ in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods.

Tisk