IEC 63068-3:2020

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence

Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium pour des dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence