Přihlásit seRegistrovat se
Jazyk czen
Menu
KontaktOBCHODNÁPOVĚDAE-ReadingNovinky
Hledání
0
Celková cena
0 Kč
Cena s DPH / bez DPH
Hlavní stránka>IEC 63275-2:2022 - Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
sklademVydáno: 2022-05-11
IEC 63275-2:2022 - Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

IEC 63275-2:2022

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky/Francouzsky Tisk
skladem
1144 Kč
Anglicky/Francouzsky PDF
K okamžitému stažení
1144 Kč
Označení normy:IEC 63275-2:2022
Vydáno:2022-05-11
Jazyk:Anglicky/Francouzsky
Popis

IEC 63275-2:2022

IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors.

Tisk