Cena s DPH / bez DPH
sklademVydáno: 2022-04-21
IEC 63284:2022
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité par la commutation sur charge inductive pour les transistors au nitrure de gallium
Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky/Francouzsky Tisk
skladem
2288 Kč
Anglicky/Francouzsky PDF
K okamžitému stažení
2288 Kč
| Označení normy: | IEC 63284:2022 |
| Vydáno: | 2022-04-21 |
| Jazyk: | Anglicky/Francouzsky |
Popis
IEC 63284:2022
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress